Intel anunció hoy un avance significativo en la estructura básica del transistor, que es el bloque microscópico con el que se construye la electrónica moderna. Por primera vez desde su invención, hace más de 50 años, los transistores de silicio se construirán usando un revolucionario diseño en tres dimensiones (3-D), llamado Tri-Gate, y que fuera anunciado por primera vez por Intel en 2002, y se comenzarán a fabricar en grandes cantidades a finales de este año en el nodo de 22 nanómetros (nm) en un chip de la compañía con nombre código Ivy Bridge.
Como podemos ver en el video, los nuevos transistores de Intel se fabricaran utilizando el lugar de un panel plano de flujo de energia, 3 paneles por los cuales fluirá la energía, lo cual permiten a los chips operar a un menor voltaje de salida con una menor perdida de energía, lo que proporciona una combinación sin precedentes de mejora en el desempeño y eficiencia energética comparado con la antigua generación de transistores. Esto le da a los diseñadores de chips la flexibilidad de configurar los transistores para el bajo consumo energético o alto desempeño, dependiendo la aplicación.
Esperemos empezar a ver pronto estos transistores aplicados a la tecnología de consumo, crees que tu smartphone es lo suficientemente inteligente? espera a final de año.
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